物料参数
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 21A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 136 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 3.1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 34 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | +5V，-20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1330 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 62W（Tc） |
| 工作温度: | 175°C |
| 等级: | 汽车级 |
| 资质: | AEC-Q101 |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DFN3333T8LSAB |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |